痛点
• 数据中心 48 V 机架散热,要求风扇 500 W/m³ 功率密度,MOSFET 占板面积 < 30 mm²,Rdson 高 0.1 mΩ 就多 1 W 热,噪音+2 dB。
• 24 V 电池瞬态 40 V,BVDSS 余量不足直接击穿。
矽普器件
张小明
前端开发工程师
痛点
• 数据中心 48 V 机架散热,要求风扇 500 W/m³ 功率密度,MOSFET 占板面积 < 30 mm²,Rdson 高 0.1 mΩ 就多 1 W 热,噪音+2 dB。
• 24 V 电池瞬态 40 V,BVDSS 余量不足直接击穿。
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正文共: 1402字 7图 预计阅读时间: 4分钟 如题,尤其最近几天体会很深 一个共识是:AI非常强大,非常牛叉,并且还在持续进化。 大模型每月一个小更新,俩月一次大迭代。各家大厂、AI native团队你…