AH40G10是40V 10A双N+P沟道增强型MOSFET

一、输入l35*38o6-7573简介：

AH40G10是具有高单元密度的高性能互补N-ch和P-ch MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDSON 和栅极电荷。AH40G10符合RoHS和绿色标准。

The AH40G10 is the high performance
complementary N-ch and P-ch MOSFETs
with high cell density, which provide
excellent RDSON and gate charge for
most of the synchronous buck converter
applications.
The AH40G10 meet the RoHS and Green

AH40G10是40V 10A双N+P沟道增强型MOSFET：绿色器件可用  超低栅极电荷  优异的CdV/dt效应衰减  先进的高单元密度沟槽科技, 技术性机器

AH40G10是一款40V/10A双N+P沟道增强型MOSFET，采用高密度沟槽技术，具有超低栅极电荷和优异的CdV/dt特性。该器件适用于同步降压转换器应用，提供出色的导通电阻性能，符合RoHS和绿色环保标准。其先进技术确保了高性能表现，是电源管理应用的理想选择。