news 2026/9/24 16:45:46

锂电化成双向电源：把 EAS 测到 1 200 mJ 的 80 V SGT——矽普 SP80N03 在 20 A 吸盘下的极限测试

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张小明

前端开发工程师

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锂电化成双向电源：把 EAS 测到 1 200 mJ 的 80 V SGT——矽普 SP80N03 在 20 A 吸盘下的极限测试

背景
• 5 V~20 V 电芯阶梯充放电，母线 48 V，同步 Buck-Boost 需要 MOSFET 既能整流也能逆变，EAS 实测 800 mJ 起步。
• 传统 Trench 单管 600 mJ 就炸，产线每月烧机 2 %。

矽普卖点

•无桥PFC及隔离DC-DC初级电路可以使用750V/1200V SiC MOS或650V/800V SJ
MOS，IGBT单管/模块同步开发中。
•低 FOM 值的 30V-250V SGT MOS，可以用于DC-DC同步整流、Buckboost电路。
• 有性能优异的主流TOLL、TO-247封装供客户选择。
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