一、基本元器件
1、电阻
电阻的大小由导体 的材料、长度、横截面积和温度共同决定。
1.1相关计算公式
导体的电阻R可通过以下公式计算：
R=ρ.L/A
ρ：电阻率（材料特性，单位Ω·m） l：导体长度（单位m） A：导体横截面积（单位m²）
串联电阻：总阻值为各电阻之和： R_总 = R_1 + R_2 + ... + R_n
并联电阻：总阻值的倒数为各电阻倒数之和： 1/R_总 = 1/R_1 + 1/R_2 + ... + 1/R_n
1.2电阻分类
固定电阻
碳膜电阻：成本低，精度一般，用于普通电路 通过色环颜色和位置表示阻值与精度
4 环电阻：前两环为有效数字，第三环为倍乘，第四环为误差。
5 环电阻：前三环为有效数字，第四环为倍乘，第五环为误差。
金属膜电阻：精度高，温度稳定性好，适用于精密仪器。
3 位读数：前2位为有效数字，第3位表示10的n次幂(也可以理解为0的个数)。 精度为±5%
4 位读数：前3位为有效数字，第4位表示10的n次幂(也可以理解为0的个数)。读法 和3位的原理一样，精度为±1%
阻值小于10的读数：通常在两个数之间插入一个字母R，用字母R来代替小数点。
线绕电阻：功率大，耐高温，用于大电流场合。
可变电阻
电位器：阻值可手动调节，用于音量控制等。
热敏电阻：阻值随温度变化，分为PTC（正温度系数）和NTC（负温度系数）。
光敏电阻：阻值随光照强度变化，用于光控电路。
2、电容
电容是电子元件中存储电荷的能力，单位为法拉（F），由两个导体及其间的绝缘介质构成
作用："通交隔直，通高阻低"电容能近似通交流电，因为是开路所以直流电无法通过，频率高的电源可以近似同过，频率低的就近似无法通过。
2.1相关计算公式
电容计算公式为：C = Q/U 其中C为电容，Q为存储电荷量，U为导体间电压。
并联电容：总容量等于所有电容容量之和。
C 总=C1+C2+C3+⋯+Cn
串联电容：总容量的倒数等于各电容容量倒数之和。
1/C_总 = 1/C_1 + 1/C_2 + ... + 1/C_n
2.2电容的充放电
充电：
放电：
2.3电容的基本作用
3、电感
3.1基本特性
“通直流，阻交流”
3.2基本特性
电源电路：储能、滤波（如DC-DC转换器）。
射频/通信：阻抗匹配、谐振（如天线匹配）。
EMI 抑制：吸收高频噪声（如磁珠）。
信号调理：限流、延时（如高速信号线串联电感）
4、PN结
4.1 本征半导体
纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体，具有很弱、但可控的导电性
4.2 掺杂
向纯净的本征半导体（如硅Si）中，人为地、有控制地掺入微量的特定杂质 原子，从而永久性、革命性地改变其导电类型和导电能力的过程。掺杂后的半导体称为 “杂 质半导体” ，主要分为两大类：N型 和 P型。
N型掺杂
掺入最外层有5个电子的杂质原子，如 磷(P)、砷 (As)、锑 (Sb)
P 型掺杂
掺入最外层有3个电子的杂质原子，如 硼(B)、镓(Ga)、铟 (In)
4.3PN结
扩散运动
由于P区空穴浓度极高，N区电子浓度极高，载流子会自然而然地从高浓度区域向低浓 度区域运动。空穴越过边界扩散到N区，电子越过边界扩散到P区。
漂移运动
由于载流子的扩散，P区一侧因电离受主而呈现负空间电荷，N区一侧因电离施主而呈 现正空间电荷。这些不可移动的空间电荷在结区形成了从N区指向P区的内建电场。在该 电场作用下，P区内的少数载流子（电子） 将沿电场反方向（即从P区向N区）作漂移运动。
内建电场与动态平衡
最终，由浓度差驱动的多数载流子扩散流，与由内建电场驱动的少数载流子漂移流，大小相等、方向相反，达到动态平衡，净电流为零，耗尽层宽度稳定，我们将这个区域称之为 PN结
